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鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar...

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問題詳情:

鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:

(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar]____________,有__________個未成對電子。

(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叄鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叄鍵。從原子結構角度分析,原因是________________。

(3)光催化還原CO2製備CH4反應中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負*由大至小的順序是______________。

鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar...(4)Ge單晶具有金剛石型結構,其中Ge原子的雜化方式爲_______________________,微粒之間存在的作用力是_____________。

(5)晶胞有兩個基本要素:

①原子座標參數,表示晶胞內部各原子的相對位置,下圖爲Ge單晶的晶胞,其中原子座標參數A爲(0,0,0);B爲(鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第2張,0,鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第3張);C爲(鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第4張鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第5張,0)。則D原子的座標參數爲______。

②晶胞參數,描述晶胞的大小和形狀,已知Ge單晶的晶胞參數a=565.76 pm,其密度爲__________g·cm-3(列出計算式即可)。

【回答】

(1)3d104s24p2;2;

(2)鍺元素原子半徑大,難以透過“肩並肩”方式形成π鍵;

(3)O>Ge>Zn;

(4)sp3;共價鍵(或非極*鍵);

(5)①(鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第6張鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第7張鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第8張)(2分);②鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題:(1)基態原子的核外電子排布式爲[Ar... 第9張(2分)

知識點:物質結構 元素週期律

題型:填空題

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