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在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經電壓爲U的電場加速後,垂直進入磁感應強度大小爲B、方...

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問題詳情:

在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經電壓爲U的電場加速後,垂直進入磁感應強度大小爲B、方向垂直紙面向裏,有一定的寬度的勻強磁場區域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉過θ=30°後從磁場右邊界*出.在電場和磁場中運動時,離子P+和P3+(  )

在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經電壓爲U的電場加速後,垂直進入磁感應強度大小爲B、方...

A.在電場中的加速度之比爲1:1

B.在磁場中運動的半徑之比爲在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的離子P+和P3+,經電壓爲U的電場加速後,垂直進入磁感應強度大小爲B、方... 第2張:1

C.在磁場中轉過的角度之比爲1:2

D.離開電場區域時的動能之比爲1:3

【回答】

BCD

知識點:磁場對運動電荷的作用力

題型:多項選擇

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