問題詳情：
注入工藝中，初速度可忽略的離子P+和P3+，經電壓爲U的電場加速後，垂直進入磁感應強度大小爲B、方向垂直紙面向裏，有一定的寬度的勻強磁場區域，如圖所示，已知離子P+在磁場中轉過=30°後從磁場右邊界*出。在電場和磁場中運動時，離子P+和P3+（ ）
A．在內場中的加速度之比爲1:1
B．在磁場中運動的半徑之比爲
:1
C．在磁場中轉過的角度之比爲1：2
D．離開電場區域時的動能之比爲1:3
【回答】
知識點：專題六 電場和磁場
題型：多項選擇
![在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的*離子P+和P3+，經電壓爲U的電場加速後垂直進入磁感應強度大小爲B、方...]( "在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的*離子P+和P3+，經電壓爲U的電場加速後垂直進入磁感應強度大小爲B、方...")
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如圖所示，一個質量爲m，帶電量爲q的正離子，從D點以某一初速度v0垂直進入勻強磁場．磁場方向垂直紙面向內，磁感...![電子以初速度v0垂直進入磁感應強度爲B的勻強磁場中，則A．磁場對電子的洛倫茲力大小．方向恆定不變B．磁場對電子...]( "電子以初速度v0垂直進入磁感應強度爲B的勻強磁場中，則A．磁場對電子的洛倫茲力大小．方向恆定不變B．磁場對電子...")
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圓形區域內有垂直紙面向裏的勻強磁場，磁感應強度爲B．一帶電粒子（不計重力）以某一初速度沿直徑方向*入，穿過磁場...
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