4、因此，如何在得到足夠高的阻斷電壓（或阻斷增益）的同時能有效減小關斷損耗，成爲目前急待研究的一個重要理論問題。
2、LA在細胞內側阻斷電壓門控**通道→阻斷動作電位的產生和傳導
1、特點:阻斷電壓高、浪涌電流承受能力強。
3、肖特基勢壘整流器。最大的經常峯值反向電壓40v。最大RMS電壓21v。最大直流阻斷電壓40v。電流1.0A。
6、本文對大功率可控硅的阻斷電壓問題、正向壓降問題、光刻掩模板的設計問題、控制極特*問題以及動特*問題進行了分析。
5、提出了阻斷電壓設計中關於基區寬度和基區雜質濃度選擇的簡化公式。
