相對強的激光聚焦有利於獲得較好的光致發光光譜。
本文介紹了ps的光致發光機理與特*研究的一些最新進展。
發現光致發光峯位隨多孔度增加而藍移的數值遠小於量子限制模型預期的結果。
我們還使用常用的材料表徵技術對這些納米線進行了表徵，並測量了幾種納米線結構的吸收光譜與光致發光光譜。
一種光致發光材料，其包含摻雜有至少一種稀土元素活化劑的鹵素取代的鹼土金屬鋁*鹽的組合物。
研究了以掠入*的平面偏振光激勵的多孔硅的光致發光。
光致發光過程就是高能量光子照*到晶體上之後，晶體所產生的電子一空穴對的輻*複合過程。
此外，氧化鋅奈米陣列的光致發光特*與膠體顆粒的晶粒大小、結晶*及表面化學特*有關。
報道多孔硅的表面鈍化對其光致發光和電致發光的影響。
我們認爲很可能是多孔硅內表面的氧化作用使光致發光峯位藍移，由氧化作用產生的非輻*複合中心導致光致發光效率的下降。
利用離子注入技術，對稀土摻雜到半導體單晶硅中的光致發光行爲進行了研究。
研究了有機半導體lppp光微腔調諧發光二極管光致發光的*質。
由於第一層量子點與其他四層量子點的大小、形狀不同，導致量子點光致發光峯的半高寬增加。
本文對發光塑料的基材及添加劑進行了選擇，重點研究了不飽和聚酯光致發光塑料的成型條件，成型工藝。
將一種經可見光激發後能儲藏能量、其餘輝時間較長的長餘輝熒光粉加入聚*基*烯**酯（PMMA）透明塑料中，製成光致發光材料。
同時，隨着退火溫度升高，光致發光光譜的峯值能量位置移向低能。
較詳細地綜述了光致發光材料的研究進展，並描述了光致發光材料的發光原理。
光致發光結果受到氙燈的光強、溫度及薄膜表面的平整度等因素的限制，使得結果可比*差。
研究了低能質子注入誘導的介面混合和快速熱退火對量子點發光效率的影響，對其光致發光峯強進行了擬合計算。
由於在光電導體、光致發光、非線*光學等方面廣闊的應用前景，主族金屬硫屬化合物的研究受到人們的重視。
