本文的模擬結果不僅能爲高能電子束光刻工藝優化曝光條件、降低鄰近效應提供理論指導，而且能爲進一步的鄰近效應的校正提供更精確的數據。
最終透過yield的比較說明抗反*層在現代光刻工藝中的作用。
套準精度-在光刻工藝中轉移圖形的精度。
透過對光刻工藝過程的研究，可爲較好地控制正*光刻膠面形，製作微機械、微光學器件提供了參考依據，對微浮雕結構的深刻蝕具有重要的指導意義。
在一塊玻璃基板上制有透明的條紋電極，條紋電極用光刻工藝製作，而另一塊玻璃基板上則爲連續電極。
在厚膠光刻工藝中重點解決了膠膜厚度的均勻*、膠膜與襯底的粘附*、大厚度差膠層的曝光、顯影條件等的優化問題。
