GB/T6616-1995半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法
本文考慮到接觸面積大小的影響,並讓四根探針排列成任意形狀,匯出了測量電阻率和薄層電阻的關係式。
GB/T14141-1993硅處延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法
GB/T6616-1995半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法
本文考慮到接觸面積大小的影響,並讓四根探針排列成任意形狀,匯出了測量電阻率和薄層電阻的關係式。
GB/T14141-1993硅處延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法