現代電壓基準建立於使用集成晶體管和帶狀能隙基準、掩埋齊納二極管和結場效應晶體管。
GB/T6219-1998半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規範
這些數據和結果有助於設計和研製自旋場效應晶體管、自旋發光二極管和自旋共振隧道器件等。
本文敘述採用雙柵砷化鎵場效應晶體管和高優值硅外延變容二極管實現UHF電子調諧器低噪聲化的有關設計和實驗結果。
場效應晶體管，特別是雙擴散場效應晶體管，及其製造方法。
此外，振盪器應該使用被晶體生產廠商建議的分立的雙極型場效應晶體管輸出。
提出了一種提高高壓垂直雙擴散MOS場效應晶體管(VDMOSFET)的體二級管恢復速度的新方法。
供電電源則將14只功率場效應晶體管MOSFET接入電源變壓器次級，兩繞組的全部組合可構成18個不同扎數的次級。
相比矩形結構磁敏場效應晶體管，扇形磁敏場效應晶體管具有更高的相對靈敏度。
在金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的作品在一個類似的原則，但二極管的MOSFET內掩埋。
研究了有機薄膜場效應晶體管的源漏接觸電阻和溝道電阻對器件*能的影響，結果表明接觸電阻是影響器件*能的主要因素。
新型雙極結型場效應晶體管(BJFET)兼有雙極型和單極場效應兩種器件的功能特點。
更高幅值的振盪導致場效應晶體管更低的漏源極開通電壓幅值來產生更低的開關損耗和更高的系統效率。
爲適應高阻抗需要，儀器輸入電路中須用特殊設計的靜電計專用電子管、場效應晶體管。
然而場效應晶體管多時候都比兩極晶體管有優勢。
神經芯片技術是一種將神經元或腦組織與場效應晶體管技術結合起來研究神經元電活動和大腦學習記憶等進階功能的新技術。
半導體器件。分立器件和集成電路。第8部分：場效應晶體管。
他可以解釋這樣的事實：10伏特已經足夠開通金屬氧化物場效應晶體管的導電溝道。
在硬開關裏場效應晶體管的開啓波形拐點並不和漏源極電壓值同步。
