在砷化鎵襯底上異質外延*化鎵的表面缺陷與綠*發光管
但是，不斷增加的工作頻率和帶寬，將爲如砷化鎵和氮化鎵等化合物半導體開啟一扇大門
實驗認爲，器件*能退化是由中子輻照砷化鎵材料的載流子去除效應引起的。
富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術後，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。
金世紀芯片擁有國內最先進的砷化鎵芯片參數自動化電路測試及芯片製造過程各種參數測試儀器和設備，可以提供客戶相應的測試服務。
本文討論了砷化鎵雙柵場效應管在電視接收機uhf頻道選擇器中作高頻調諧放大和變頻應用時的一些考慮，並給出有關的實驗結果。
早期LED的液晶層是砷化鎵或者*化鎵做的，所以發出紅光。
此外，利用硫化氨對砷化鎵基板進行硫化介面處理以改善薄膜特*。
模擬衰減器在*頻和微波網絡中有廣泛的應用，可用砷化鎵MMICS和PIN二極管網絡實現
在最近的實驗中，nist小組透過在砷化鎵上鋪上一層砷化銦得到了新型激光。原子格之間的不匹配形成了量子點。
他們只是想透過在砷化鎵晶體上鑽一些有着細心安排間距的小孔來製造波導（一種能令光傳播到特定方向的結構）。
砷化鎵電池的實驗室效率可達，批量生產可達
一個具有同軸雙反光碗的新型結構的砷化鎵紅外探照燈在1985年正式使用於*紅外夜視儀中。
本文敘述採用雙柵砷化鎵場效應晶體管和高優值硅外延變容二極管實現UHF電子調諧器低噪聲化的有關設計和實驗結果。
黃河源**設備均採用砷化鎵*化鎵*化物黃*發光二極管。
這實在令人振奮,因爲低損耗視窗正處於砷化鎵激光器的發光波段.
每塊板上包含的把可以太陽光濃縮400倍的小晶體，主要成分是砷化鎵光電池。並且跟隨太陽軌跡雙軸工作。
光電整合迴路()整合的方式與目前最先進的方式。磊晶疊塊，多次磊晶，在有電子元件的基板上磊晶(化鎵在矽基板上，砷化鎵在砷化鎵基板上，矽在砷化鎵基板上)晶圓鍵結。異質整合。自我組裝。
在最近的實驗中，NIST小組透過在砷化鎵上鋪上一層砷化銦得到了新型激光原子格之間的不匹配形成了量子點
介紹了一種利用砷化鎵霍爾元件設計的微型霍爾電流傳感器。
用此法也能澱積出非晶態砷化鎵薄膜。
爲了使砷化鎵場效應管具有建立振盪所需的負阻，我們將其配置爲共源結構並在漏極添加合適的開路微帶線。
砷化鎵電池的實驗室效率可達，批量生產可達。
報道了利用離子注入技術研製出一種用於手機的超低*損砷化鎵單片*頻單*雙擲開關。
快甄別電路由高速砷化鎵隧道二極管組成，快計數電路由ECL超高速D觸發器組成。
