本發明涉及多晶硅副產物四*化硅的回收利用方法，屬於多晶硅生產技術領域。
因此，可以認爲多晶純銅在較高溫度下的滯**蠕變機構與晶粒間界自擴散機構相似。
對經點陽極電注入摻*氧根溴化鉀多晶着*機理提出解釋。
研究分析了cmos多晶電容的工藝誤差，給出了氧化硅介質層厚度的梯度誤差、邊際效應等工藝因素對cmos多晶電容的影響。
本文中鑄帶*爆後得到的球磨粉主要是多晶體，認爲影響了取向度，使其燒結體的磁*能較低。
這在很大程度上是多晶硅生產規模大幅提升引發太陽能電池板價格下跌的反應。
選區電子衍**實了sno2是多晶態.
三種吸雜方式都能明顯提高多晶硅的少子壽命。
潛在異構體，立體化學的識別，或潛在形成多晶型的資訊因包含在內。
採用多晶硅發*區和基區重摻雜技術，獲得了可與cmos結構相容，基區電阻較小的硅低溫雙極晶體管。
在太陽能光伏產業巨大前景的鼓舞下，上游多晶硅製造商已經不再猶豫，紛紛制定擴產計劃。
介紹了目前複合吸波材料中所用的吸波纖維，包括碳纖維、碳化硅纖維、多晶鐵纖維等及其改*纖維的吸波機理和*能。
避免金屬在多晶硅柵上走線，會增加寄生電容。
四川永祥多晶硅有限公司是四川永祥股份有限公司旗下的全資子公司，致力於打造成世界級多晶硅生產企業。
在未經電注入的摻*氧根*化鉀多晶吸收光譜曲線上，觀測到*氧根離子吸收譜位置。
熱壓多晶*化鎂常用作整流罩材料。
pc模型修正了多晶體內各晶粒變形時的切變邊界條件，允許各種切變在變形過程中部分存在，從而使模擬更接近實際晶體變形過程。
相同的材料在不同的切割條件下表層的損傷程度不同。我們認爲，近完整晶體的切割損傷層是由多晶層、嵌鑲結構層和畸變層組成。
紅柱石屬多晶型物，含藍晶石和硅線石兩種不同礦物。
因摻*氧根溴化鉀多晶中含有大量*氧根離子，用傳統電注入方法，不可能將摻*氧根溴化鉀多晶經點*極電注入着*。
在此同時，美國史丹佛大學的研究人員展示在推進器內壁覆蓋堅硬的人工合成多晶鑽石，可大幅提升推進器抵抗電漿侵蝕的能力。
他還表示,*西賽維需要讓多晶硅工廠運轉起來,因爲該公司的太陽能硅晶片價格正在下降,而利息成本也在蠶食利潤.
採用有限元多晶體模型對板材多點成形過程進行了數值模擬研究。
結果是,多晶硅價格從1月份的峯值下跌了一半.
目前已具有年產120mw多晶硅日光能電池勞動能力，預計明年上半年將達到360mw多晶硅日光能電池生產範圍。
保利協鑫能源控股有限公司是*最大的多晶硅生產商、全球領先的硅片供應商，同時也是*一流的環保能源供應商。
當然，這在生產方面如果粒狀多晶硅的質量都沒有達到及格，繁重的任務將是毫無意義的。
