SOI材料的質量很大程度上取決於頂層硅及埋層的結構。
本文從包括埋層影響的集區雜質分佈出發，求出了寄生pnp晶體管的共基極電流放大係數。
溪洛渡水電站地下廠房洞室羣埋層深、直接對外的通道少、線路長、洞室羣密集，通風散煙難度非常大。
滲濾液循環是利用填埋場的上覆土壤層及垃圾填埋層的淨化作用來處理垃圾滲濾液。
一百本文從包括埋層影響的集區雜質分佈出發，求出了寄生PNP晶體管的共基極電流放大係數。
本發明耐壓層具有雙介質埋層，兩介質埋層之間設定中間層。
對LTCC埋層電感進行了研究，以研製體積小、低損耗、微波*能好的高密度功放模組。
氧化埋層-在兩個晶圓片間的絕緣層。
埋層(7)作爲集電極連接區域提供，用於連接集電極接觸(6)和集電極區(14)。
但由於絕緣埋層的引入，使得材料本身的抗總劑量輻照能力反而不如體硅材料。
透過與一維模型的比較，說明在深亞微米SOIMOSFET器件中隱埋層的二維效應會導致器件提前出現短溝道效應
基於離子注入形成A埋層的機理，利用計算機程序動態模擬A層的形成過程及終態結構。
埋層-爲了電路電流流動而形成的低電阻路徑，攙雜劑是銻和砷。
