求出了扭結的遷移率、共振頻率和擴散常數的表示式。
其課題在於，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，.並且不產生短溝道效應。
研究電致發光有機薄膜中載流子的輸運過程，遷移率是描述輸運過程的關鍵物理量。
量化計算燒結頸生長率以及在不同晶界和表面遷移率比值時的燒結率，較好地符合理論分析的趨勢。
用雙染免疫組化法檢查脾細胞中STAT 5**化與STAT 5抗原的定位。用電泳遷移率變動分析(EMSA)測定STAT 5與DNA探針的結合力。
正離子遷移率是影響c變化的主要因素.
電泳遷移率是確定從多普勒移使用非侵入*和快速的技術，稱爲電泳光散*。
紅外等離子反*光譜與晶體材料的載流子濃度、遷移率和有效質量等參數有關。
結果顯示，長髮帶芒草中發現的高分子量谷蛋白亞基與普通小麥中的類似，但遷移率存在較大差異。
*科大在黑*低維原子晶體中實現高遷移率二維電子氣。
在室溫條件下測量電流和磁場的大小對載流子濃度和遷移率測量結果的影響。
因爲鍺擁有高的載子遷移率且具有吸收紅外光的能力，使其成爲在高速光偵測器應用上的最佳選擇。
此外，表面粗糙散*和高場散*主要影響高場下載流子遷移率。
蒸發膜在不同氣氛下退火，電導都隨溫度升高而增大，同時遷移率和載流於濃度都有增加。
方法採用免疫組化法及凝膠電泳遷移率實驗。
富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術後，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。
自由電子在電場的作用下，會由於晶體中的雜質而發生散*，遷移率就是指這種散*發生的頻率。
結果根據電泳遷移率，可明顯區分螺旋藻多糖與其他多糖。
高電子遷移率晶體管（HEMT）是基於異質結調製摻雜發展起來的一種高頻高速半導體器件。
串聯電阻不僅會使遷移率降低，還會使峯值場效應遷移率所對應的柵壓減小。
因此，金剛石單晶體的生長看來既受到太高的碳*超飽和度的影響，也受到少量原子態*的影響，還受到生長物質表面遷移率減小的影響。
