基於流體動力學能量輸運理論,對槽柵PMOSFET器件的端口特*進行了*研究,包括柵極特*、漏極驅動能力和抗熱載流子*能等。
開發了應用輸運理論方法的兩套程序系統:蒙特卡羅燃耗程序系統和輸運燃耗程序系統。
數值計算表明:兩體關聯輸運理論在不同的等級截斷下均較好地保持了有關的守恆定律。
應用哈密頓動力學理論,提出了在徑向電場存在情況下的新經典輸運理論。
基於流體動力學能量輸運理論,對槽柵PMOSFET器件的端口特*進行了*研究,包括柵極特*、漏極驅動能力和抗熱載流子*能等。
開發了應用輸運理論方法的兩套程序系統:蒙特卡羅燃耗程序系統和輸運燃耗程序系統。
數值計算表明:兩體關聯輸運理論在不同的等級截斷下均較好地保持了有關的守恆定律。
應用哈密頓動力學理論,提出了在徑向電場存在情況下的新經典輸運理論。