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快恢复二极管需要在化学镀镍前扩铂。
采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间。
提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布。
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