問題詳情:
下列關於價層電子對互斥模型(VSEPR 模型)的敘述中不正確的是( )
A. VSEPR 模型可用來預測分子的立體構型
B. 分子中價電子對相互排斥決定了分子的立體構型
C. 中心原子上的孤對電子也要佔據中心原子周圍的空間並參與互相排斥
D. 分子中鍵角越大,價電子對相互排斥力越大,分子越穩定
【回答】
【*】D
【解析】
【詳解】A項、VSEPR模型可用來預測分子的立體構型,注意實際空間構型要去掉孤電子對,故A正確;
B項、分子的空間結構與價電子對相互排斥有關,排斥能力大小順序是:孤電子對間排斥力>孤電子對和成對電子對間的排斥力>成對電子對間的排斥力,故B正確;
C項、中心原子上的孤電子對參與互相排斥,如水分子中氧原子價層電子對個數爲4,孤對電子數爲2,空間構型爲V形,四*化碳分子中碳原子價層電子對個數爲4,孤對電子數爲,0,空間構型爲正四面體形,故C正確;
D項、在多原子分子內,兩個共價鍵之間的夾角,分子中鍵角越大,價電子對相互排斥力越小,分子越穩定,如NH3爲三角錐形,鍵角爲107°,CH4爲正四面體,具有對稱*,鍵角爲109°28′,CH4比氨氣穩定,故D錯誤;
故選D。
【點睛】中心原子上的孤電子對參與互相排斥,價層電子對個數=σ鍵個數+孤電子對個數,σ鍵個數=配原子個數,孤電子對個數=(a-xb),a指中心原子價電子個數,x指配原子個數,b指配原子形成穩定結構需要的電子個數。
知識點:物質結構 元素週期律
題型:選擇題