問題詳情：
元素及其化合物在生活及生產中有很多重要用途．
Ⅰ．鹵素化學豐富多*，能形成鹵化物、鹵素互化物、多鹵化物等多種類型的化合物．
（1）擬鹵素如(CN)2、(SCN)2、(OCN)2 等與鹵素單質結構相似、*質相近．已知(CN)2分子中所有原子都滿足 8 電子穩定結構，則其分子中 σ 鍵與 π 鍵數目之比爲_______．(SCN)2對應的*有兩種，理論上硫**（H﹣S﹣C≡N ）的沸點低於異硫**（H﹣N=C=S）的沸點，其原因是_____________．
（2）鹵化物 RbICl2 在加熱時會分解爲晶格能相對較大的鹵化物 A 和鹵素互化物或鹵素單質，A 的化學式_____________．
Ⅱ．SiC、GaN、GaP、GaAs 等是人工合成半導體的材料， 具有高溫、高頻、大功率和抗輻*的應用*能而成爲半導體領域研究熱點．試回答下列問題：
（3）碳的基態原子 L 層電子軌道表達式爲_______，砷屬於_________區元素．
（4）N 與*元素可形成一種原子個數比爲 1：1 的粒子，其式量爲 60，經測定該粒子中有一正四面體構型，判斷該粒子中存在的化學鍵_________.
A．配位鍵 B．極*共價鍵 C．非極*共價鍵 D．*鍵
（5）CaC2晶體的晶胞結構與 NaCl 晶體的相似（如圖1 所示），但 CaC2 晶體中含有的啞鈴形 C22﹣的存在，使晶胞沿一個方向拉長． CaC2 晶體中 1 個 Ca2+周圍距離最近的 C22﹣數目爲________．
Ш． A、B、C 爲原子序數依次遞增的前四周期的元素，A 的第一電離能介於鎂和硫兩元素之間，A 單質晶體的晶胞結構如圖2 所示． B的價電子排布爲（n+1）sn（n+1）pn+2，C位於元素週期表的 ds 區，其基態原子不存在不成對電子． B與 C所形成化合物晶體的晶胞如圖3 所示．
（6） A 單質晶體屬於_________晶體（填晶體類型）.
（7）B 與 C 所形成化合物晶體的化學式___________．
【回答】
【*】 (1). 3:4 (2). 異硫**分子間可形成*鍵，而硫**不能 (3). RbCl (4). 
(5). p (6). ABC (7). 4 (8). 原子 (9). ZnS
【解析】（1）擬鹵素如(CN)2、(SCN)2、(OCN)2 等與鹵素單質結構相似、*質相近．已知(CN)2分子中所有原子都滿足 8 電子穩定結構，C原子形成四個共價鍵，原子形成三個共價鍵，CN)2 結構式爲N≡C-C≡N，每個分子中含有3個σ鍵，4個π鍵，則其分子中σ鍵與π鍵數目之比爲3：4；異硫**分子間可形成*鍵，而硫**不能形成分子間*鍵，能形成分子間*鍵的物質分子間作用力大，所以異硫**熔沸點高於硫**。（2）RbICl2加熱時會分解爲晶格能相對大的鹵化物A和鹵素互化物或鹵素單質，*離子的半徑小於*離子，RbCl的離子鍵長小於RbI的離子鍵長，晶格能較大爲RbCl，則A爲RbCl；（3）碳原子的L層有4個電子，2個在2S上，2個在2P上，且自旋相同，碳的基態原子L層電子軌道表達式爲
，砷原子的*電子排布爲ns2np5，砷屬於P區元素。（4）N 與*元素可形成一種原子個數比爲 1：1 的粒子，其式量爲 60，分子式爲N2H4，氮原子之間形成非極*鍵，氮原子和*原子之間形成極*鍵，*原子和氮原子之間形成配位鍵，故選ABC；（5）根據圖知，鈣離子的上下、前後、左右有6個C22―，晶胞沿一個方向拉長，CaC2晶體中1個Ca2＋周圍距離最近的C22－數目爲4；（6）A、B、C爲原子序數依次遞增的前四周期的元素，A的第一電離能介於鎂和硫兩元素之間，A單質晶體的晶胞結構如圖2所示，可知：A爲硅形成的晶體，屬於原子晶體；
（7）B的價電子排布爲（n+1）sn（n+1）pn+2，有三個電子層，外層爲6個電子，B爲S原子，C位於元素週期表的ds區，其基態原子不存在不成對電子，爲Zn原子，B與C所形成化合物晶體的化學式爲：ZnS。
點睛：本題考查物質結構和*質，涵蓋晶胞計算、化學鍵判斷、*鍵等知識點，學習中注意區別極*鍵和非極*鍵概念、理解原子結構等知識點是解本題關鍵，注意：配位鍵屬於共價鍵，*鍵屬於分子間作用力，（5）是易錯點，根據圖知，鈣離子的上下、前後、左右有6個C22―，但注意題幹中：“晶胞沿一個方向拉長”這句，所以CaC2晶體中1個Ca2＋周圍距離最近的C22－數目爲只有4。
知識點：物質結構 元素週期律單元測試
題型：推斷題
